龙8头号玩家微机电制作技术,尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术（silicon- based micromachining, 原本就肇源于半导体组件的制程技术，所以必须先介绍清楚这 类制程，以免沦于夏虫语冰的窘态。

　　一般的机械加工是不需要洁净室（clean room的，因为加工分辨率在数十微米以 。但进入半导体组件或微细加工的世界、空间单位 ，便有可能影响到其 上精密导线布局的样式,造成电性短路或断路的严重后果。

　　为此，所有半导体制程设备,都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁 净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以class 10为例，意谓在单位立方 英吹的洁净室空间内，。所以class后头数字 越小，洁净度越佳，当然其造价也越昂贵（参见图2-1 o

　　2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。 换言之,鼓风机加压多久,冷气空调也开多久。

　　3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调 配，使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。

　　5、所有人事物进出,都必须经过空气吹浴（air shower的程序，将表面粉尘先行 去除。

　　6、 戴无尘衣，除了眼睛部位外,均需与外界隔绝接触（在次微米制程技术的工厂内，工作 人员几乎穿戴得像航天员一样。当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。

　　7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水（DI water, de-ionized water。— 则防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子、如钾、钠离子污染金氧半 （MOS晶体管结构之带电载子信道（carrier channel,影响半导体组件的工作特性。去 离子水以电阻

　　率（resistivity来定义好坏，-cm以上才算合格:为此需动用多 重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使用。由于 去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！

　　8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的,都得使用氮气 （98%,%以上的高纯氮!以上八点说明是最基本的要求、 另还有污水处理、！

　　硅晶圆（silicon wafer是一切集成电路芯片的制作母材。 经过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程，大多是采「柴可拉斯基」（Czycrasky 拉晶法（CZ法。拉晶时，将特定晶向（orientation的品种（seed,浸入过饱和的纯硅熔 汤（Melt中，并同时旋转拉出，硅原子便依照晶种晶向，乖乖地一层层成长上去,而得出 所谓的晶棒（ingot。晶棒的阻值如果太低，代表其中导电杂质（impurity dopant太多， 还需经过FZ法（floating-zone的再结晶（re-crystallization,将杂质逐出,提高纯度与阻 值。

　　辅拉出的晶棒，外缘像椰子树干般，•然后以X 光绕射法，定出主切面（primaiy flat的所在，磨出该平面;再以内刃环锯、削下一片片的 硅晶圆。最后经过粗磨（（chemical etching与抛光（polishing等程 。（至于晶圆厚度，与其外径有 关。刚才题及的晶向,与硅晶体的原子结构有关。硅晶体结构是所谓「钻石结构」 （diamond-structure,系由两组面心结构（FCC,相距（174,1/4,1/4 晶格常数（lattice constant;即立方晶格边长叠合而成。我们依米勒指针法（Miller index,可定义出诸 如:｛100｝、｛111｝、｛110｝等晶面，所以晶圆也因之有｛10。｝、

　　｛111｝、｛110｝等之分 野。-2。现今半导体业所使用之硅晶 圆,大多以｛10龙8国际头号玩家。｝硅晶圆为主。其可依导电杂质之种类,再分为p型（周期表III族与 n型（周期表V族。由于硅晶外貌完全相同，晶圆制造厂因此在制作过程中，加工