龙8头号玩家浅谈半导体材料半导体材料的发展与器件紧密相关。1941年用多晶硅材料制成检波器,是半导体材料应用的开始,1948~1950年用切克劳斯基法成功的拉出了锗单晶,并用它制成了世界上第一个具有放大性能的锗晶体三极管。1951年用四***化硅锌还原法制出了多硅晶,1952年用直拉法成功拉出世界上第一根硅单晶,同年制出了硅结型晶体管,从而大大推进了半导体材料的广泛应用和半导体器件的飞速发展。:半导体材料是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料,电阻率约在1mΩcm~1GΩcm范围内。半导体材料可按化学组成来分,再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类龙8头号玩家。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、化合物半导体、有机半导体、固溶体半导体和非晶态与液态半导体。元素半导体大约有十几种,处于ⅢA族—ⅦA族的金属元素与非金属元素交界处,如Ge,Si,Se,Te等;化合物半导体分为二元化合物半导体和多元化合物半导体;有机半导体分为有机分子晶体、有机分子络合物、和高分子聚合物,一般指具有半导体性质的碳-碳双键有机化合物,电导率为10-10~102Ωcm。固溶体半导体是由两个或多个晶格结构类似的元素化合物相融合而成,有二元系和三元系之分,如ⅣA-ⅣA组成的Ge-Si固溶体,ⅤA-ⅤA组成的Bi-Sb固溶体。原子排列短程有序、长程无序的半导体成为非晶态半导体,主要有非晶硅、非晶锗等。:不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求,包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯,要求的纯度在6个“9”以上,最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类,一类是不改变材料的化学组成进行提纯,称为物理提纯;另一类是把元素先变成化合物进行提纯,再将提纯后的化合物还原成元素,称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等,使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等,使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性,因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的龙8头号玩家。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广,80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的,其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法,用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法,用此法拉制***化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触,用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备***化镓单晶,而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、***化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延,其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超