龙8long8手机登录龙8long8手机登录(2)半间距大于18纳米的DRAM或小于128层的NAND半导体,不使用新兴存储器技术,例如过渡金属氧化物、相位-改变与高级存储器制造相关的存储器、钙钛矿或铁磁体;或者
(2)具有后平面晶体管结构的半导体如FinFET或GAA结构和(3)以封装设施为目的,利用3D集成封装的半导体。