龙8国际头号玩家首先要知道foundry从供应商（硅片供应商）那里拿到的晶圆（也叫wafer，我们后面简称wafer）是一片一片的，半径为

　　也就是通常说的阱，well是通过离子注入（Ion Implantation，后面简称imp）的方式进入到衬底上的，如果要制作NMOS，需要注入P型well，如果制作PMOS，需要注入N型well，为了方便大家了解，我们拿NMOS来做例子。

　　离子注入的机器通过将需要注入的P型元素打入到衬底中的特定深度，然后再在炉管中高温加热，让这些离子活化并且向周围扩散。这样就完成了well的制作。制作完成后是这个样子的

　　在制作well之后，后面还有其他离子注入的步骤，目的就是控制沟道电流和阀值电压的大小，大家可以统一叫做反型层。如果是要做NMOS，反型层注入的是P型离子，如果是要做PMOS，反型层注入的是N型离子。注入之后是下面这个模型。

　　后面就会制作二氧化硅（SiO_{2}，后面简称Oxide），在CMOS的制作流程中，制作oxide的方法有很多。在这里由的SiO_{2}是用在栅极下面的，它的厚度直接影响了阀值电压的大小和沟道电流的大小。所以大多数foundry在这一步都是选择质量最高，厚度控制最精确，均匀性最好的炉管氧化方法。其实很简单，就是在通氧气的炉管中，通过高温，让氧气和硅发生化学反应，生成SiO_{2}。这样就在Si的表面生成了薄薄的一层SiO_{2}，如下面的图形。

　　但是到这里还没结束，SiO_{2}只是相当于螺纹，真正的栅极（Poly）还没有开始做呢。所以我们下一步就是在SiO_{2}上面铺一层多晶硅。Poly也是CMOS非常关键的一个环节，但是poly的成分是Si，不能像生长SiO_{2}那样通过直接和Si衬底直接反应生成龙8国际头号玩家。这就需要传说中的CVD（化学气相沉淀，Chemical Vapor Deposition），就是在真空中发生化学反应，将生成的物体沉淀到 wafer上，在这个例子中，生成的物质就是多晶硅，然后沉淀到wafer上（这里要多说一句，poly是用CVD的方法在炉管中生成的，所以poly的生成不是用的纯正CVD的机台）。

　　到了上面这一步，其实已经形成我们想要的垂直结构了，最上面是poly，下面是SiO_{2}，再到下面是衬底。但是现在整片wafer都是这样，其实我们只需要一个特定位置是“水龙头”结构。于是就有了整个工艺流程中最最关键的一步:曝光。

　　然后再用定义好的掩膜版（掩膜版上已经定义好了电路图形）放在上面，最后用特定波长的光线照射，被照射的地方光阻会变活化，由于被掩膜版挡住的地方没有被光源照到，所以这块光阻没有被活化。

　　由于被活化的光刻胶特别容易被特定化学液体洗掉，而没有被活化的光刻胶不能被洗掉，所以通过照射后，再用特定的液体洗掉已经活化的光刻胶，最后就变成了这个样子，在需要保留Poly和SiO_{2}的地方留下光阻，在不需要保留的地方除去光阻。

　　这之后就是把那些多余的Poly和SiO_{2}刻蚀掉，也就是除去掉，这个时候使用的是定向刻蚀。在刻蚀的分类中，有一种分法是定向刻蚀和非定向刻蚀，定向刻蚀就是指在某个特定方向进行刻蚀，而非定向刻蚀就是不定向的（就是通过特定的酸碱，在某个特定的方向除去SiO_{2}）。在这个例子中我们采取向下的定向刻蚀除去SiO_{2}，变成了这个样子。

　　最后再除去光阻，这个时候除去光阻的方法就不是上面提到的通过光的照射活化，而是通过其他方式，因为我们不需要在这个时候定义特定的大小，而是将光阻全部除掉。最后变成如下图所示。

　　最后我们再考虑一下源端和漏端是怎么形成的。大家还记得在上一期中我们聊过，源端和漏端都是离子植入相同类型的元素。这个时候，我们可以在需要植入N型的源/漏区域上用光阻开口。由于我们是只拿NMOS做例子，所以上图中的所有部分都会开口，如下图

　　由于被光阻盖住的部份是不能被植入的（光阻挡着了嘛），所以只有在需要的NMOS上才会植入N型元素。由于poly下面的衬底被poly和SiO_{2}挡住，所以也不会被植入，于是就变成了这个样子。

　　到这里，一个简单的MOS模型就制作出来了，理论上来讲，在source，drain，poly和衬底上加上电压，这个MOS是可以工作的，但是我们总不能直接在source和drain拿个探针直接加上电压吧。这个时候就需要MOS的布线，也就是在这个MOS上面，连导线，让很多MOS连在一起。我们就看看这个布线-制作VIA(导通孔)

　　是通过CVD的方式产生的，因为这样速度会很快，很节省时间。下面的话还是铺光阻，曝光的那一套，结束之后是长这个样子。>

　　在上面这个条件下，我们用PVD的方式再dep一层金属（metal）。这个金属主要是以铜为主的合金。