龙8国际头号玩家❖ 半导体硅原子结 构：4个共价键， 比较稳定，没有 明显(míngxiǎn)的 自由电子。

　　❖ 1、半导体能带 ❖ 禁带带隙介于导体和绝缘体之间 ❖ 2、半导体载流子 ❖ 空穴(kōnɡ xué)和电子

　　❖ （1）薄膜制备工艺：包括外延生长、氧化 (yǎnghuà)工艺、薄膜淀积工艺，如制造金属、 绝缘层等。

　　❖ （2）图形转移工艺：包括光刻工艺和刻蚀工艺。 ❖ （3）掺杂工艺：包括扩散工艺和离子注入工艺。

　　电流越大。因此MOS晶体管是电压控制电流 的器件。 ❖ 数字电路：开关作用，栅压为VDD或GND ❖ 模拟(mónǐ)电路：栅压介于VDD和GND之间， 调整电流大小，进行信号放大作用。

　　❖ （c）光刻工艺(gōngyì)处理后的晶片 ❖ （d）扩散或离子注入形成PN结 ❖ 光刻和刻蚀工艺(gōngyì)；扩散和离子注入工艺

　　❖ 1 制造工艺简介 ❖ 2 材料的作用 ❖ 3 工艺流程(ɡōnɡ yì liú chénɡ) ❖ 4 常用工艺之一：外延生长 ❖ 5 常用工艺之二：光刻 ❖ 6 常用工艺之三：刻蚀 ❖ 7 常用工艺之四：掺杂 ❖ 8 常用工艺之五：薄膜制备

　　❖ 4、 PN结 ❖ 单向导电性：整流、开关、稳压二极管。 ❖ 、5 MOS场效应管 ❖ （1）MOS管结构 ❖ NMOS、PMOS和CMOS ❖ MOS管是左右对称的，漏和源可以互换，只

　　❖ 漏区和源区称为有源区，是由掺杂形成的。 ❖ 栅：铝栅和硅栅（性能更好） ❖ MOS晶体管尺寸定义：宽和长 ❖ （2）MOS管工作原理(yuánlǐ) ❖ 反型层、沟道、饱和。 ❖ 饱和之后，沟道形成楔型，电流不再增加。

　　❖ 3、半导体分类 ❖ N型半导体和P型半导体 ❖ 掺杂半导体的特点： ❖ （1）导电性受掺杂浓度(nóngdù)影响。被替

　　代的硅原子数越多，材料的电阻率越低，越 容易导电龙8国际头号玩家。 ❖ （2）多子的浓度(nóngdù)取决于杂质浓度 (nóngdù)，少子的浓度(nóngdù)取决于温度。

　　用(lìyòng)掺杂的方法改变材料的电阻率得到 的。但是当掺杂的杂质浓度增高时，电阻率 会随着浓度增高快速降低吗？ ❖ （与温度有关：杂质需要完全电离；掺杂半 导体中载流子的迁移率会随杂质浓度增加而 显著下降）

　　❖ 半导体器件通常不是直接做在衬底上的，而 是先在沉底上生长一层外延层，然后将器件 做在外延层上。外延层可以与沉底同一种材 料(cáiliào)，也可以不同。

　　❖ 光刻掩模版（mask）：版图完成后要交付给 代工厂，将版图图形转移到晶圆上，就需要 经过一个重要的中间环节——制版，即制造 一套分层的光刻掩膜版。

　　❖ 制版——光刻掩膜版就是讲电路版图的各个 层分别转移到一种涂有感光材料的优质玻璃 上，为将来再转移到晶圆做准备，这就是制 版龙8国际头号玩家。