龙8国际头号玩家• 氮化铝通过分布式极化掺杂技术实现无掺杂剂分布和特定的极化，为功率器件制造提供了新的概念。　　• 氮化铝晶体管的实验成功运行以及高温环境下的稳定性表现，为实现超低损耗功率器件和高温电子器件打下了基础。　　过去十年，半导体领域最大的故事之一就是电力电子领域意外超越传统硅的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）占领了价值数十亿美元的细分市场。随着主要应用落入这些具有优越属性的新贵